第525章 解析度10μm
瓷飛廠是下定了決心，肖總遠赴京城，但高振東這邊的事情，還遠遠沒完。
此時的他，正在拿著防工委發過來的另一位五爺——轟炸機的資料，細細的計算著、考慮著。
他想撬動的可不只是攻-5裝雷達這個事情。
就在他算得入神的時候，門被敲響了。
高振東起身開門，門口是易中海和五道口分來的師妹馬娟，馬娟性格雖然比較直，有些男子的英氣，但是心卻是很細的，正合適代表分廠的電子實驗室跟進一下光刻機的組裝事宜。
「高師兄，好消息好消息！」馬娟不像伍升遠那麼一板一眼，在單位也叫高師兄，高振東聽得還挺爽。
「光刻機組裝好了？」她和易中海一起過來，除了這個不可能有別的。
「嗯嗯嗯，裝好了，我們先試了試，各指標完全達標。」
「太好了，走，看看去。」高振東把手上的東西一收，站起身就往光刻機試製車間走。
易中海和馬娟跟在後面，馬娟笑道：「我們來的意思，就是想請你去主持一下最終的套刻精度試驗。」
高振東連連點頭：「嗯，要試，要試。走！走！」
其他的指標，可以說易中海帶著大師傅們，在馬娟的配合下基本上都完成了，這個套刻精度，算是最終的綜合檢驗。
走進光刻機試製車間，透過玻璃看向超淨室，展現在高振東面前的是一個像是化學試驗室里通風試驗櫥的東西，或者說是像搞生物的帶生物防護的顯微裝置，別的都看不出幹啥的，就是那台顯微鏡賊顯眼。
這台顯微鏡是用來人工對準和檢查用的，主要解決套刻時的對準問題。高振東在掩模上設計了對準標誌，但是對準這個操作，在這台光刻機上是人工操作，那台顯微鏡就是用來幹這些事情的。
按說這機器高振東來來去去，改來改去也見過不少次了，可以算是老夥計了，但是這次看見，還是心裡泛起了一陣激動。
可算是有結果了，這東西在高振東心裡已經不是一台設備，而是一股氣。
高振東前世，在網上對線多年，對手能噴的東西，從逮著啥就能噴啥，慢慢演變為能噴啥才說啥。
最後乾脆成釘子戶了，就在那少數幾個領域蹲著不走了，任你東南西北風，我自巍然不動，嘴裡只是說著「對呀對呀！……光刻機有幾種光源，你知道麼？」高振東看得愈不耐煩，拿著鍵盤走遠。
走遠歸走遠，這幾樣東西的確是到他穿越為止，還沒完全拿下的，至少是高端的沒拿下，光刻機就是其中一種。
他媽的，這輩子老子自己造一個玩玩，有幾種光源我不知道，但是我知道這台能用，而且還挺好！
高振東自己也換上防護服，和幾名試驗人員走進了超淨室。
試驗人員早就把試驗準備做好了，走進來之後，打開了幾個開關，然後示意高振東：「高總，可以了。」
高振東拿起專用夾具，從帶乾燥劑的矽片架里，小心的夾起了一片單晶矽片，放到了工件台上，然後扳動開關，矽片被吸附固定。
這些單晶矽片已經經過清洗、乾燥等處理，對光刻膠的附著力此時是最大的。
然後高振東退後一步，將接下來的試驗交給了馬娟。
要的就是一開始的那個爽感，至於具體操作，這些試驗人員比他手腳麻利多了，專業的事情還是交給專業的人去做。
要說高振東這個光刻機原始，那是真的原始，固定好矽片後，馬娟開動開關，矽片開始旋轉。
這是高振東的設計，一步到位，光刻膠的塗布，他直接上了旋塗法，前世我們最早的光刻機是用什麼方法塗布他不知道，但他知道綜合性能肯定是旋塗法最好。
旋塗法在單晶矽片這種平坦的簡單表面塗布，平坦化能力強，容易控制厚度，塗層密度大，厚度均勻，不是沒有缺陷，但是可以接受和處理。
旋轉很快達到了預設的轉速，在塗料確定的情況下，塗層厚度這些塗布結果參數與轉速高度相關，旋轉的同時，工件台也在對矽片進行加熱，這是為了進一步去除表面重新附著的水汽。
這些小細節，都是高振東從前世帶過來的，不起眼，但是很重要。
加熱時間滿足預設要求之後，旋轉也早已穩定，馬娟拿起了滴管。
沒錯，就是化學試驗用的那種滴管，一點兒都不高大上，但是對於高振東這個光刻機來說夠用了。
滴管天生就有不太精確的計量功能，例如一毫升水大概是15滴，總之就是當液體的粘稠度確定的話，那從滴管滴出來的每滴液體的體積基本上是一致的，換支滴管也是一樣，只要是正常的滴管都一樣。
多餘的光刻膠會被旋轉的矽片給甩出去的，這也是旋塗的優點。
馬娟往旋轉的矽片中心滴了一些光刻膠，光刻膠很快隨著旋轉，沿著矽片表面勻開來，非常均勻，仿佛不存在一樣。
這也是托光刻膠和矽片的粘附性很好的福，否則在上光刻膠之前，還得上一遍襯底，以加強光刻膠的附著。
矽片緩緩停止旋轉，此時，工件台再次開始對矽片進行加熱，這是在固化光刻膠。
固化完成後，馬娟開始按動電鈕，調整工件台，將矽片置於光學系統下的合適位置。
雖然高振東要求東北光學所的同志搞的是160mm直徑的投影範圍，不過考慮到拉晶的成品率，以及光學系統的最大畸變出現在最邊緣的原因，現在還是將矽片的規格定在了130mm，也就是大概5英寸的樣子，不過這是我們的原生工藝，自然就不會用英寸作為矽晶圓的計量單位。
作為最早最原始的光刻機，高振東使用的卻並不是最原始的接觸式光刻，這種方式矽片和掩模直接接觸，解析度比接近式要高。
但接觸式光刻，矽片上的光刻膠或者個別灰塵，會污染和損壞掩模，用來搞研究可以，搞批產不太好。
他跨過接觸式光刻，使用了接近式光刻，實際光刻的時候矽片和掩模之間有一個極小的距離，在10μm這個數量級，這樣就可以避免掩模的損壞了。
壞處嘛，接近式光刻的解析度比接觸式的要差，最好的情況，大概在2μm的樣子，這對於高振東現在來說是夠用的。
使用接近式光刻，掩模和工件是分開的，這對於搞自動化光刻是有利的，這就是高振東將掩模放進光學系統的原因，掩模在光學系統里基本不動，運動的是工件台。
找平之後，工件台控制矽片向掩模接近，最終達到設計中所設定的距離——20μm。
這一次不用太過仔細的對齊，因為是第一次刻，嚴格對齊是套刻的事情，如果是套刻，還需要對齊套刻標記。
接下來就是曝光、顯影，聽起來和膠片機攝影差不多，實際上原理也基本上一致。
顯影完畢，馬娟開始用顯微鏡檢查成像質量，耗時很長，估計她的眼睛都花了，最終她抬起頭，面帶喜色的向高振東點了點頭。
這次的掩模，是工藝測試用標準掩模，看她這個樣子，至少解析度10μm是沒問題了。
「高師兄，和我們以前測試的一樣，線寬10μm沒有問題，很穩定。」
如果成像質量有問題，那就得將矽片取出來，洗去光刻膠，準備從頭再來。
這年頭，矽片很貴的，不能浪費，哪怕是到了幾十年後，矽片沒那麼貴了，但還得洗，如果問題出在工藝的中後期的光刻道次上，前面的工藝也貴啊！
高振東心中激動，向她點點頭，示意繼續。
接下來按照正常的集成電路工藝，應該是送到其他工序去，根據光刻目的的不同，進行諸如蝕刻、摻雜、離子注入、金屬去除等，但是這是測試光刻機的解析度和套刻精度，這工序就不用做了，而且也沒法做，這兒沒那些東西。
比如蝕刻，看起來簡單，腐蝕就行，但實際上背後靠著一整條比較特殊的安全管理線，這邊也建立一條那玩意，就搞麻煩了，又不是經常要用到。
就更別提摻雜這些需要設備的工序了，更是沒法做。
考慮到顯影之後，光刻膠就只剩下了需要的那一部分，試驗人員的想法，是再上一次光刻膠，看看兩次光刻顯影結果的重迭程度。
這也算是個笨辦法，如果這種情況下，舊光刻工藝的殘餘物影響到新一次的光刻膠附著，導致試驗效果不好的話，再考慮光刻——送1274蝕刻——光刻這個試驗流程。
光是線寬10μm，其實光刻機的製程是到不了10μm的，因為決定光刻機製程的，還有其他參數，其中很重要的一個就是套刻精度，也正是今天高振東最終要測試的東西。
凡是做集成電路，哪怕工藝簡單如PMOS，都是需要套刻的，因為一次光刻連電晶體都做不出來，更別說形成完整電路了。
(本章完)