第132章 十倍精度光刻
紀弘也很頭疼，產能怎麼擠？巧婦也難為無米之炊！
最關鍵的自然不是零部件這種東西，而是光刻機。
不說別的，在限制一次又一次的加碼之後，國內現在能夠進口的最先進的光刻機是1980di，曝光精度是38nm的那款。
主要用於28nm、14nm製程，多重曝光的情況下，也能製造7nm晶片。
更高級別的已經完全不能出貨了。
哪怕是1980di，現在要買也只有理論上的可能。現有的都是存量，都是有數的——華為的先進工藝，就是用這款光刻機採用多重曝光工藝生產的。
等效5nm，算是把這台光刻機壓榨到了極限。
而國內生產已經投入商用的光刻機，是解析度90nm的滬上微電子的SSA600/20。
回到家裡，紀弘在書房，也是一樣一樣的在整理著國內的產業現狀，心裡也在思索一個可行的方案。
在他心裡，王華新院士那邊，超爆解析度光刻機結合類思維AI大概率是可以瞬間解決問題的，目前這個型號的光刻機大約有十六台。
但，不管是否能行，都不能把雞蛋放在同一個籃子裡。
另一個方案……
他明天約了於總，這需要產業整合。
……
「用1980di生產更高工藝級別的晶片？做到台積電N5P的密度？能效比也要追上？」
紀弘一發邀請，於東立即就來了，不為別的，就為手機系統集成大小核與多線程智慧調度模塊的開發已經完成。
但見面第一個問題，直接就把於東給搞懵了。
華為這兩年一直在迴避工藝這個問題，無論是去年的9000s和其一系列衍生物，還是今年即將發布的新的晶片，都不會對外公布工藝。
所謂等效7nm，等效5nm之類的，都是拆機愛好者用電子顯微鏡Decode之後計算出來的。
但是自家人知自家事兒，性能、功耗、工藝三者之間的桎梏是沒那麼容易打破的。
就比如9000s，調校激進一些不是問題，但功耗立即就會控制不住，發熱和耗電都會嚴重，這就是工藝過低帶來的弊端。
這兩年，一直在這個工藝上修修補補，說是等效5nm了，但是能效比跟真正的5nm相去甚遠。
而且，華為自認為在現有的硬體設備條件下，這台光刻機進步的空間已經被壓榨乾淨了——除非EUV研發成功，否則，麒麟晶片的硬體性能想要再提升，已經非常困難了。
所以，他們才會對卷耳智能科技的多線程大小核調度模塊如此的上心——性能不夠，調度來湊。
而事實上，這個模塊沒有讓他們失望——紙面數據直接提升了15%，實際體驗的話，感知甚至更高。
是真的讓這一代麒麟，有了至少不輸8+的紙面數據，實際體驗直追8G2都不是問題。
但現在，紀弘告訴他，做真正的5nm！
海思的設計能力現在已經無人懷疑，甚至在很多人眼裡，它已經是世界最強，沒有之一——能在落後製程工藝下設計出現在的麒麟，哪怕是蘋果也不容易做到。
如果工藝再能提上去，那……
光想想，於東都覺得是美的。
……
「先參觀一下吧。」紀弘看出於東的驚訝，話已經點到，解釋什麼都是多餘的，擺事實在任何時候都會好過講道理。
倆人換好衣服鞋子手套頭套，來到產線。
「楊工，介紹一下現在的情況吧。」紀弘引這於東站在產線正在工作的光刻機屏幕之前，喊來總工程師，如此說道。
「無限套刻測試一直在循環進行，目前，極端線寬已經做到了22nm……」
於東聽到22nm的時候，內心還一笑，這也不高嘛。
但是隨即反應過來，當即驚呼道：「多少？」
這他麼是220nm的光刻機啊，搞我玩兒呢吧，而且這玩意兒用的是i線365nm的光源啊！
華為利用SAQP技術實現4倍精度的光刻，這其中有多困難，只有做過才知道。
而且良率從幾乎沒法看到現在的漸漸提高，也經歷了非常漫長的時間——說白了，這玩意是實在沒辦法了才去搞的。
如果國內有EUV，何至於費這麼大的勁！
「10倍精度！22nm！」楊工程師確認道。
「你們用的什麼方法？」於東沒有懷疑楊工騙他，這東西就在這兒，騙他沒有任何意義，紀弘想跟他談什麼，也不差這一點籌碼。
「最簡單的方法。」楊工程師也是認真的回覆道：「就是把需要光刻的圖分到多個掩膜版上，然後一遍一遍的重複光刻-刻蝕-光刻-刻蝕……就這樣。」
「這……」這種方法於東當然知道，就是最原始的方法。
但是精度怎麼控制啊？這東西在所有的工藝節點上，量產工藝，就沒有做過雙重以上的，最多就是雙重。
理論倒是非常簡單，但做起來那是非常的困難。
不僅是工件台的移動精度問題，有非常多的問題需要解決。
稍微對不準一點，一重一重的累積下來就會是天文數字，最終導致全盤都失敗。
換句話說，你動一下都需要保持nm級別的精度，既然有這個技術，直接去改造光刻機都比這個更容易。
「來，看看我們的歷程吧。」沒等楊工回答，紀弘引著於東來看這幾天產線在做什麼。
「與傳統提升工藝的過程不同，」紀弘介紹道：「類思維AI在這裡發揮了巨大的作用。
「刻-刻蝕-光刻-刻蝕，也就是LELE這種雙重曝光技術之所以引起套刻誤差，不能四重甚至更多重的LELELELLE，是因為精度不好把握。
「但，對於我們來說，這反倒是最簡單的。對準嘛，機械重複就好了，一次不行那就多來幾次。」
這個過程困難嗎？
對於一般的產線來說，非常困難。
因為誤差有多少，不下產線去檢測就不可能知道。
一次光刻之後，按程序移動，然後二次光刻，所有流程結束了，上檢測線了，上封測線了，才能知道哪兒出了問題，良率多少，是不是能夠滿足量產需求。
不能的話，去調整，重複上述過程，直到滿足需求。
但宏圖微電子這兒呢？就好像裡邊住了個人。
機台動了一下，光刻尚未進行：「我對準了沒？」
「好像還差一點。」
「現在呢？」
「往右一點。」
「這會兒呢？」
「往左一點。」
「現在呢？這回總可以了吧？」
「嗯！刻吧！」
這一刻，精準無比，別說刻三次五次，哪怕十次更多次，只要計算好了，那也完全都沒有問題。
當然，真正的過程不可能是描述的這個樣子，但如果擬人化的話，大概是這麼個意思。
這就叫做精度不夠，「微調」來湊。一步不到位，咱慢慢調。
當然，這個慢也是相對的——如果傳感數據計算好了，由人來判斷和調整，那是真叫慢——光電所的超爆光刻機所面臨的就是這個問題。
但這個時候判斷是否對準以及做出決策的，是類思維AI工業模型結合機器視覺以及維納傳感，這速度立即就上去了。
……
而於東看著這幾天的數據，人有些麻。
這東西還不是一天成型的，從數據中可以明顯看出，第一天的時候，雙重曝光都還有些費勁，效果很不理想。
但成長賊快——隨著一次又一次的嘗試，一次又一次的訓練，這套系統是越來越強，直到今天自己看到的這樣一種十倍精度光刻的效果。
而這說起來還要多虧了王華新院士這個【微納製造與智能傳感技術】國內頂尖專家，如若不然，還真不一定能夠達到現在的這種訓練效果。
(本章完)