986章 氮化鎵處理器!

  華興集團公司在氮化鎵器件上的技術一開始是來源於西門康公司的技術專利,一開始是做高功率的電氣設備的器件,後來設立在鷹醬和歐洲的研發中心得到了一大批的功率器件的研發人員和技術專利,將矽器件上的技術移植到了氮化鎵器件上面,所以很容易就推出了一大批的不同類型的器件,開始運用於很多領域。

  對於消費者而言,除了氮化鎵電源體積更小之外,沒有任何上手和使用門檻。

  華興集團公司通過多年的摸索已經掌握了氮化鎵的電晶體結構製備工藝,特別是氮化鎵電晶體結構製備工藝比現有技術的矽器件還要少很多工藝處理步奏,器件的製備成本反而還要低一些。

  氮化鎵器件之成本最高的部分反而是在氮化鎵材料本身上面,之前主要是氮化鎵的高質量和大尺寸的籽晶培育出來需要兩年多的時間。

  華興集團公司也是組織了技術團隊實驗新的技術方案,也是在中科院之前在研製超導體材料時用到的頂部籽晶熔融織構的方法中得到了靈感,採取了一種助熔劑法開始製備氮化鎵籽晶和晶體的生產辦法,通過了幾百次的實驗,絕大部分都是失敗了,最後還是終於成功地培育出了高質量大尺寸的氮化鎵籽晶,並且將籽晶的培育時間縮短到了只有一個多月的時間。

  萬子豪這次過來也是跟著楊傑對氮化鎵材料研發中心的氮化鎵單晶生產工廠進行了參觀。

  當他看到好幾座巨大的籽晶生長爐後也是非常感興趣,詢問起這些生長爐的一些情況。

  「之前我們在實驗的時候發現氣液界面處氮源首先達到過飽和,形成氮化鎵多晶殼層,導致外部氮氣在氣液界面處被阻斷,導致生長體系氮源供給中斷,進而使生長體系中的氮化鎵籽晶停止液相外延生長,另一方面另一方面消耗體系中金屬鎵源,我們想了很多辦法,最後發現添加氮化碳作為添加劑材料後可以有效地抑制這種情況。」

  陪同在一旁的佟建偉一臉自豪地說道,他是最早加入華興集團公司的,現在已經成為了氮化鎵材料研發中心的院長。

  「這套生長爐是你們華興集團公司自己設計的?」

  萬子豪問道。

  「我們也是跟金山市中科院的矽酸鹽研究院一起合作開發了這些設備,不過我們也是在這些設備上做了很多創新。」

  佟建偉笑著說道:「這麼一套生長爐一次性可以生長30根直徑在25毫米的籽晶棒,可以拉制出120公斤的單晶棒,我們還在研發更大直徑的籽晶棒,下一步拉制出150公斤以上的單晶棒。」

  萬子豪隨後也是在成品工作間看到了已經通過檢測的籽晶棒,技術人員此時正在進行打包。

  萬子豪看著這些半透明的圓錐形的氮化鎵的籽晶棒眼中也是露出喜色,「有了這些高質量的籽晶棒,華興集團公司可以大批量生產氮化鎵材料,這對我們國內的半導體產業都是一個絕好的消息呀!」

  現在華興集團公司也是建立了上百套的氮化鎵單晶生長爐,其中最大尺寸的單晶生長爐就建設了四十多套,再加上數量不少的30公斤、60公斤、90公斤級別總共是六十多套的生長爐,現在一年華興集團公司可以提供兩百多噸的材料,而且生產的都是純度達到九個九的電子級的高純度單晶矽。

  萬子豪也知道金山市中科院矽酸鹽研究院方面也是建設了一條生產線,產量更大,不過生產的是四個九純度的光伏單晶氮化鎵矽晶片。

  在跟楊傑的交談中,萬子豪也是得知華興集團公司在接下來的幾年時間裡面也會對國內的多家企業進行授權,迅速地擴大氮化鎵單晶棒的產能。

  華興集團公司這些年也是自己研製出了氮化鎵晶體的製備工藝,晶棒的切割、倒角、精密磨削等加工工藝和設備全都是自己研發出來的,無一不顯示出華興集團公司強大的設備研發能力。

  當然,這些都是華興集團公司十來年在各方面高強度投入了上千億美金的才積攢下了這麼強大的技術實力。

  當然,現在華興集團公司每年也是賺回來了海量的資金,去年華興集團公司總的營收就超過了四千五百億美金,那真的是賺錢賺到手軟。

  鷹醬對華興集團公司的封殺對華興集團公司的營收影響真的是很小,絲毫沒能阻擋華興集團公司前進的步伐。

  萬子豪對此也是心生感慨,能為國內出現這麼一家實力無比強大的高科技集團公司感到非常高興。

  華興集團公司能賺錢倒是其次,而是楊傑帶領著如此龐大的研發技術人員對科技孜孜追求,在很多方面已經是走在了世界前沿,這個才是最讓他感動驚喜的地方。

  而且華興集團公司對國內的眾多企業都是有著非常大的影響力,伴隨著華興集團公司的崛起也是出現了一大批高科技企業,讓國內在很多高端產業上面迅速地崛起,科研成果轉化為產品和產業的速度有了肉眼可見的增長。

  更讓萬子豪震驚的是華興集團公司現在已經啟動了研發氮化鎵處理器的研發項目,目的是研製出能夠在超過500度工作溫度和高輻射等極端環境下工作的處理器。

  雖然說華興集團公司現在已經基本上掌握了氮化鎵材料在發光二極體、射頻器件和功率電子器件上的多種電晶體的製備工藝,當都是一些分立器件,算是掌握了器件層方面的技術。

  但是要研發處理器還必須攻克系統級所面臨的困難,主要是使用氮化鎵電晶體實現非門和與非門電路的設計,難度還是來自於氮化鎵材料和矽晶片材料的不同,現在的矽基集成電路工藝跟氮化鎵材料的製程工藝是不兼容的,所以還有很長的路要走。

  這個項目最關鍵的還是氮化鎵這種寬禁帶半導體選擇性區域摻雜工藝技術,只有解決了這些難題,才能獲得高性能氮化鎵處理器。

  不過華興集團公司這十年來一直都是在這方面持續地進行研發,在摻雜工藝基礎研究上已經是積累了大量的技術專利,楊傑對此還是很有信心的。

  他給研發團隊的也是制定了任務,在三年之內研發出第一顆氮化鎵處理器出來。