210章 技術難關!

  眾人的交談很愉快,宋曼麗也喝了一些酒,一張精緻的臉上染滿紅霞,眼神也變得朦朧起來。

  楊傑也有了七八分酒意,腦袋也是昏昏沉沉的,而霍曉天跟顧曉松也是喝的醉醺醺的。

  楊傑強忍著醉意送走了霍曉天跟顧曉松,這次跟宋曼麗上了車。

  「姐,沒事吧?」楊傑關切地看著身邊的宋曼麗問道。

  「沒事,我想睡一覺,借你肩膀靠一下。」宋曼麗醉眼朦朧地看著楊傑道,柔軟的話語中帶著撒嬌的意味。

  「你睡吧。」心中某楊傑個地方觸動了一下,他壓下了這種莫名的情緒,笑著道。

  宋曼麗臉上露出了笑意,斜靠在楊傑的寬闊的肩膀上閉上了眼。

  鼻端飄來宋曼麗身上混合著酒精的馥郁香氣,楊傑的心中也是滿腔的溫柔。

  霍曉天在燕京待了沒幾天便飛往烏克蘭那邊了,他現在的任務一邊是在那邊拓展業務,另外就是在那邊搜尋人才。

  楊傑跟宋曼麗也是在十月中旬的時候一同回到了潭州市。

  趕回潭州市後,楊傑卻是得知華越電子公司在0,18微米製程工藝上取得了突破,他也是高興不已,連忙趕過去。

  當他到了華越電子公司後,發現徐工、何玉光、席海清和一批技術工程師都是愁眉苦臉的。

  「怎麼回事?」

  「楊少,流片的良率太低了,大家都在尋找問題,都是沒有一個頭緒……」何玉光說道。

  華越電子公司和中晶微電子、瑞星科技公司的大批負責人跟工程師現在都聚在一起解決良率的問題。

  華越電子公司這次對新藍科技公司的快閃記憶體顆粒進行了第一輪工程流片,已經拿出了數量極少的工程樣品,但0.18微米製程還不成熟,嘗試實驗流片下,良品率低的要死,連續做了五張晶圓後經測試只得到11片合格產品。

  「把樣品拿過來給我看一下。」楊傑說道,徐少秋等人眼中閃過亮光,急忙讓技術人員將樣品拿了過來。

  華越電子公司有內部鍋爐,會議室室裡面溫暖如春,,楊傑對著電腦將樣品在電子顯微鏡下拍攝的一張張照片用幻燈機投在屏幕上,晶片上以納米為單位的微結構被放大如斗,在看了很多張照片後,他心中已經有數了。

  「這些照片大家開會前都已經看過,對柵極埋入層的形貌結構心裡也都有數了,我來給大家分析一下,看看和大家自己做出的分析是不是一樣。」

  看著幾十雙眼睛看著自己,楊傑也是說出了自己的看法:「我們這次工程流片之所以會出現大批不能讀寫的次品,良品率極低,主要原因雖然有目前的0.18微米實驗製程不成熟的原因,但再怎麼不成熟,良品率也不能這麼低。剛才我看了一下照片,真正搞出次品的原因是因為我們的埋入晶圓的柵極擴散層形態異常。」

  會議室里徐工也是鬆了口氣,這次負責攻關0.18微米製程工藝的負責人是他,他也是擔心自己在技術路線上出現了重大問題。

  「大家看這張電鏡探傷圖,左邊是這次的良品,右邊是這次的不合格品,左邊正常形態下的埋入層擴散結構和右邊的區別是很明顯的,我知道大家現在一定在想,為什麼會出現右邊這些次品?問題出在哪呢?」

  會議室裡面很多技術人員也是踴躍發言。

  「剛才這位黃海波判斷的不錯,這個情況確實跟我們擴散層離子注入工序有問題。」

  這位被點到名的技術人員眼中露出驚喜的神色。

  「那麼我問你,這道工序到底出現了什麼問題?」楊傑追問道。

  這個技術人員卻是回答不上來。

  「楊少,難道是注入機的真空度問題?」徐少秋問道。

  「不錯,就是注入機的真空度不夠,從而引起埋入擴散層的氧化膜厚度中間薄周邊厚,薄的部分隔離差,造成中間漏電。」

  台下工程師們有的表情恍然大悟,有的則是興奮地點頭,表示不出所料,楊傑的判斷和他們一樣。

  楊傑繼續道:「我認為失敗也是好事,給了我們總結的經驗嘛,要是不出事,我倒覺不好,那樣一來大家反而什麼都學不到。」

  他看著席海清說道:「席總,你馬上把瑞星科技公司目前正在研發中的新型離子注入機的改良版真空部件拿過來對華越電子公司的設備進行升級改裝。從他們給出的新設備真空參數來看,改裝升級以後應該就能馬上解決問題,過幾天第二批工程流片出來以後,大家對著電鏡圖片就能看出區別了。」

  「是,楊少,我馬上安排。」

  在座的工程師們有的心裡還是懸著,擔心這次改裝升級要是依然解決不了問題可怎麼辦呢?

  楊傑繼續按動滑鼠,把投影儀上的圖片換了一張,繼續講解道:「這張圖很經典啊,這是柵鄔化矽附著不良的典型特徵,是多晶矽生長工藝的問題,只要改進柵鄔化矽生長前的清洗工藝,從而消除附著不良的現象就可以了。」

  底下幾位負責矽晶片的工程師聽到這個也是趕緊記下楊傑所說的改進方案。

  楊傑繼續給大家講解今後製程工藝需要改進的地方和具體方法,大家聽得津津有味,飛快地記著筆記,人人都覺得眼前被楊傑打開了一扇嶄新的大門,而這道門是以前一直苦於西方技術封鎖而始終不得窺其究竟的!

  隨著製程工藝的提升,牽涉到的問題非常之多,就連英特爾這樣的公司為了每一代製程工藝也是需要耗費數十億美金和方方面面的工程師來共同攻關,可見其困難!

  不過萬幸的是楊傑自己本身在這方面也是有著足夠多的經驗,在場科學家和工程師們覺得自己仿佛在聽世界級實驗室出來的頂級專家傳授絕密技術,而荒唐之處卻在於,這位專家卻只有二十歲!

  「大家看,這是多晶矽膜在刻蝕後的照片,對於這些蝕損斑,大家怎麼看這些疤?」

  見大家都不說話,楊傑親自解釋:「從形態上分析,這是干法刻蝕餘量不夠造成的,主要是光刻機新鏡頭和工件台的配合還沒有達到完美。」

  楊傑看著何玉光說道:「何總,這個問題雖然影響不大,不過還是需要再調試一下,儘量減少這種情況。」

  「好的,楊少。」何玉光點頭道。

  會議室里大家都是認真地聽著楊傑一個一個地說著製程工藝上的問題,生怕錯過了什麼。

  楊傑也知道華越電子公司的徐少秋和中晶微電子公司的工程師在FinFET製程工藝上都只掌握0.35微米的製程工藝,至少得再數量掌握一代製程工藝後才有足夠的經驗,他自然是想在這上面多給他們提供一些經驗。

  會議開到了晚上,楊傑也是說得口乾舌燥,總算是將許多問題給大家說透了。

  楊傑在岳泰市這邊在家裡待了幾天,他去潭州市的時候華越電子公司按照他方案做出了全面的調整後良率果然飆升到了百分之七十四,這個良率非常之高,可以說華越電子公司已經完全掌握了0.18微米的製程工藝。

  這個意義就非常大了,現在美國英特爾公司才成熟地掌握了0.13微米製程工藝,90納米的製程工藝正在攻關中。

  嚴格來說,美國方面製程工藝已經只領先華夏國一代了。

  楊傑也是給父親打了電話,讓他暫時不要把這個消息向上面匯報,同時也禁止自己公司的人員向外界透露這個消息。

  大家悶聲發大財就好,如果向外界嚷嚷著華夏國已經攻克了0.18微米製程工藝,美國方面肯定會派出情報人員了解情況,到時候查到瑞星科技公司能夠生產光刻機的事情,到時候肯定會想盡辦法堵死瑞星科技公司從外面進口的路子,到時候大家大家就只能幹瞪眼了。